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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0970 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | TV 79C 79#22D PIN WALL RECP |
| 中文描述： | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 2SB0970 |
1
Transistor
2SB970
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-voltage output amplification
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
JEDEC:TO–236
EIAJ:SC–59
Mini Type Package
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
1
0.1 to 0.3
2
+
–
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–15
–10
–7
–1
– 0.5
200
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –2V, I
C
= –0.5A
*2
V
CE
= –2V, I
C
= –1A
*2
I
C
= –0.4A, I
B
= –8mA
I
C
= –0.4A, I
B
= –8mA
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–15
–10
–7
130
60
typ
– 0.16
– 0.8
130
22
max
–100
350
– 0.3
–1.2
Unit
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE1
130 ~ 220
180 ~ 350
Marking Symbol
1RR
1RS
Marking symbol :
1R
*2
Pulse measurement
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB976 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 2SC3526 | Silicon NPN epitaxial planer type(For display video output) |
| 2SC3526H | Silicon NPN epitaxial planer type(For display video output) |
| 2SC3526(H) | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SB977 | 2SB970 Si PNP EPITAXIAL PLANAR / 2SB977 2SB977A Si PNP EPITAXIAL PLANAR DARLINGTON / 2SC1547 Si NPN PLANAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0970(2SB970) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 2SB09700RL | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA MINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB09700SL | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA MINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0970R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AB |
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