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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1001-BH |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB1001-BH |
2SB1001
4
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current IC (mA)
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000
10
30
100
300
1,000
3,000
10,000
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
Ta = 75
°C
25
–25
VCE = –2 V
Pulse
Collector Current IC (mA)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE
(sat)
(V)
Base
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
BE
(sat)
(V)
–3
–10
–30
–100 –300 –1,000 –3,000
–0.003
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–3.0
–1.0
IC = 10 IB
Pulse
Saturation Voltage vs. Collector Current
VBE (sat)
VCE (sat)
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector
Output
Capacitance
C
ob
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
10
30
100
300
1,000
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
f = 1 MHz
IE = 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1001BJ | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1027EKTR | 1500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1027EJTL | 1500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1027EKUL | 1500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1027EHTR | 1500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1001BJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SB1001BJTR-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1002 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB1002CH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
| 2SB1002CJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-243 |
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