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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1030A |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SB1030A |
2
Transistor
2SB1030, 2SB1030A
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
450
350
250
150
50
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–1200
–1000
–800
–600
–400
–200
Ta=25C
–9mA
–5mA
–4mA
–3mA
–2mA
–1mA
I
B
=–10mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=25C
75C
B
B
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=25C
–25C
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0.1
1
10
100
0.3
Emitter current I
E
(mA)
3
30
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
=–10V
Ta=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
–10
–30
–100
–300
–1000
0
240
200
160
120
80
40
V
=–10V
Ta=25C
Function=FLAT
4.7k
R
g
=100k
22k
Collector current I
C
(
μ
A)
N
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
BE(sat)
— I
C
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
NV — I
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1034 | 2SB1034 |
| 2SB1035 | 2SB1035 |
| 2SB1036 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification) |
| 2SB1050 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SB1054 | Silicon PNP triple diffusion planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1030AQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
| 2SB1030AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
| 2SB1030ARA | 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1030AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
| 2SB1030Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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