參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1127-T
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SB1127-T
2SB1127
No.2452-3/4
A S O
--1.0
2
5
7
3
2
5
7
3
5
--10
--0.1
5
37
5
33
7
22
--1.0
--10
ICP=–8A
100ms
10ms
DC
operation
1ms
IC=–5A
ITR08954
5
--0.01
23
5
2
3
5
23
5
--0.1
--1.0
--10
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
7
5
3
2
7
3
5
ITR08953
0
12
10
6
8
2
4
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
IT09519
Cob -- VCB
3
2
3
2
7
5
100
37
2
--1.0
--10
5
37
53
2
ITR08951
f=1MHz
Tc=25
°C
Single pulse
--0.1
--1.0
23
5
23
5
23
5
--10
--0.01
--1000
--10
--100
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
VCE(sat) -- IC
ITR08952
IC / IB
=50
20
10
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta –C
0
12
10
6
8
2
4
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Tc
IT09520
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Case Temperature, Tc –C
hFE -- IC
VCE= --2V
ITR08949
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
10
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
VCE= --5V
--0.1
--1.0
3
25
3
25
3
25
5
--10
--0.01
f T -- IC
100
7
5
3
2
7
5
2
1000
ITR08950
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – A
No
heat
sink
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PDF描述
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