參數(shù)資料
型號： 2SB1154
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： FILTER PLATE
中文描述： 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-92, TOP-3F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 61K
代理商： 2SB1154
2
Power Transistors
2SB1154
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
150
125
100
25
75
50
0
120
100
80
60
40
20
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–20
–16
–12
–8
–4
T
C
=25C
I
B
=–400mA
–20mA
–40mA
–60mA
–80mA
–100mA
–120mA
–160mA
–200mA
–250mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.1
–30
–10
–1
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
– 0.1
–30
–10
–1
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
(1) I
C
/I
B
=10
(2) I
/I
B
=20
T
C
=25C
(1)
(2)
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
T
C
=–25C
100C
25C
B
B
1
–30
–10
–1
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
3
10
30
100
300
1000
V
CE
=–2V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
0
–8
–2
–6
–4
–7
–1
Collector current I
C
(A)
–5
–3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
on
t
f
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=10
(–I
B1
=I
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
S
o
,
s
,
f
μ
s
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
10ms
t=1ms
Non repetitive pulse
T
C
=25C
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關PDF資料
PDF描述
2SB1156 FILTER PLATE
2SB1163 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER
2SA666 SI PNP EPITAXIAL PLANAR
2SA666A SI PNP EPITAXIAL PLANAR
2SD1718 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB11540Q 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1154P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1154Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1154R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-247VAR
2SB1155 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)
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