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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1167Q |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126LP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | 2SB1167Q |
2SB1167/2SD1724
No.2047–3/4
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--2.0
--1.5
--3.5
--3.0
--2.5
--1.0
--0.5
0
IC -- VBE
ITR09116
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1167
VCE= --5V
IC -- VBE
ITR09117
23
0.1
23
5
23
5
7
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
5
3
2
3
ITR09120
2SB1167
2SD1724
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
7
5
100
10
2
27
35
7
5
100
22
7
35
ITR09121
hFE -- IC
2
3
5
1000
2
3
5
100
10
23
5
--0.01
5
--0.1
23
5
23
--1.0
--10
ITR09118
2SB1167
VCE= --5V
Ta=75
°C 25°C
--25
°C
hFE -- IC
ITR09119
2
5
3
2
5
3
2
5
3
--1000
--10
--100
23
55
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
--10
ITR09122
VCE(sat) -- IC
2
5
3
2
5
3
2
5
3
1000
10
100
7
23
55
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
10
2SB1167
IC / IB=10
25°
C
Ta=75°
C
--25
°C
ITR09123
VCE(sat) -- IC
25°
C
Ta=75°C
--25
°C
2SD1724
IC / IB=10
2SB1167 /
2SD1724
VCE=10V
2SB1167
2SD1724
2SB1167 /
2SD1724
f=1MHz
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
2.0
1.5
3.5
3.0
2.5
1.0
0.5
0
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1724
VCE=5V
2
3
5
7
1000
2
3
5
100
10
23
5
0.01
5
0.1
23
5
23
1.0
10
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1724
VCE=5V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
(For PNP, minus sign is omitted.)
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PDF描述 |
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