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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1182/QR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | 2SB1182/QR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1275/NP | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1733/QR | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1516/P | 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1535/NQ | 6000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5103/P | 5000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1182R | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB1182-R | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistors |
| 2SB1182TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1182TLQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, CPT |
| 2SB1182TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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