參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1188T100/P
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, SC-62, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： 2SB1188T100/P
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Transistors
Rev.A
1/3
Medium power transistor (
32V, 2A)
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.5V (Typ.)
(IC/IB =
2A / 0.2A)
2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 /
2SD1862.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1188
2SB1240
2SB1182
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM :
ATV
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
4.0
±
0.3
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
±0.1
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
Abbreviated symbol: BC
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
1 Single pulse, Pw=100ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm2 or larger.
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PC
Tj
Tstg
40
V
A(DC)
W
W (Tc
=25
°C)
W
°C
32
5
2
IC
A (Pulse)
3
0.5
2
10
1
2
1
3
2SB1188
2SB1182
2SB1240
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1182TLP 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1189T100 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1238TV2 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1197-R-TP 800 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1197KT146PQ 800 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1188T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 2A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1188T100Q/R 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, MPT
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2SB1188-X-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR
2SB1189 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR(-80V, -0.7A)
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