型號: | 2SB1207S |
廠商: | PANASONIC CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | NS-B1, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 198K |
代理商: | 2SB1207S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1217-M | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1217-L | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1231-Q | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1231-P | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SB1234 | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SB1209 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SB1215S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1215S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1215S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1215S-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |