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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1207S |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | NS-B1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 198K |
| 代理商： | 2SB1207S |
2SB1207
2
SJC00069BED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
VBE(sat) IC
Cob VCB
0
160
40
120
80
500
400
300
200
100
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
6
5
4
1
3
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta
= 25°C
9 mA
8 mA
7 mA
6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
IB
= 10 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 50
Ta
= 25°C
75
°C
25
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.01
– 0.1
–1
–10
–100
25°C
Collector current I
C (A)
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC / IB
= 50
Ta
= 75°C
25
°C
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 2 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
100
10
0
200
160
120
40
80
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
80
60
40
20
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1217-M | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1217-L | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1231-Q | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1231-P | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1234 | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1209 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1215S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1215S-TL-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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