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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1209 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP triple diffusion planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | M-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SB1209 |
2
Transistor
2SB1209
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
Ta=25C
– 0.1mA
– 0.2mA
– 0.3mA
– 0.9mA
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
I
B
=–1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–1.0
– 0.8
– 0.2
– 0.6
– 0.4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
CE
=–5V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
T
C
=75C
25C
–25C
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
240
200
160
120
80
40
V
CE
=–5V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
1
10
100
1000
3
30
300
0
120
100
80
60
40
20
V
CB
=–30V
T
C
=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
30
25
20
15
10
5
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–300
–1000
Single pulse
Ta=25C
t=10ms
t=100ms
t=1s
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB1215S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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