參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1220
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
中文描述: 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 36K
代理商: 2SB1220
2
Transistor
2SB1220
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
60
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–100
–80
–60
–40
–20
–90
–70
–50
–30
–10
Ta=25C
–2mA
–1mA
–3mA
–4mA
–5mA
I
B
=––6mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
CE
=–5V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
600
500
400
300
200
100
V
CE
=–5V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0.1
1
10
100
0.3
Emitter current I
E
(mA)
3
30
0
250
200
150
100
50
225
175
125
75
25
V
=–10V
Ta=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
10
8
6
4
2
9
7
5
3
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
o
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SB1221-Q 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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