參數(shù)資料
型號： 2SB1241
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor
中文描述： 功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SB1241
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
-0.01
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
Ta=25
C
I
C
/I
B
=20
-1 -2
-5 -10 -20
-50-100-200-500
-2000
-1000
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
10
Fig.5 Gain bandwidth product vs.
emitter current
1
2
5
10 20
50 100 200
5001000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
T
T
(
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
Ta=25
C
V
CE
=-
5V
Fig.6 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
-0.2
-0.1
-0.5 -1
-2
-5 -10 -20
-50 -100
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ta=25
C
f=1MHz
I
E
=0A
C
p
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig. 7 Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
-0.1
10
20
-0.2
-0.5
-1
-2
200
1000
-5
-10
500
100
50
Ta=25
C
f=0A
I
C
E
(
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(V)
-0.5
-2
-1
-5 -10 -20
-50 -100
Fig. 8 Safe operating area
(2SB1260)
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
TSingle
C
*
nonrepetitive
pulse
I
C Max
. (Pulse)
I
C Max
.
P
W
=
1m
P
W
=0m
DC
Fig.9 Safe operating area (2SB1241)
1
2
5
0.1 0.2 0.5
10 20 50 1002005001000
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta=25
C
*
Single
pulse
P
W
=0m
I
C Max
. (Pulse)
P
W
=0m
DC
Printed circuit board:
1.7 mm thick with collector
copper plating at least 1 cm
2
.
-0.5
-0.2
-0.1
-1
-2
-20
-10
-5
-50 -100
-0.01
-0.05
-0.02
-0.1
-0.5
-0.2
-1
-5
-2
P
W
=0m
TSingle
C
*
nonrepetitive
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.10 Safe operating area
(2SB1181)
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PDF描述
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2SB1241TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1243TV2P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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