參數(shù)資料
型號： 2SB1260
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor
中文描述： 功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SB1260
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
Power Transistor (
80V,
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
!
Features
1) High breakdown voltage and high
current.
BV
CEO
=
80V, I
C
=
1A
2) Good h
FE
linearity.
3) Low V
CE(sat)
.
4) Complements the 2SD1898 /
2SD1863 / 2SD1733.
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
2SB1260
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0
2
+
0.05
+0.1
0.1
+0.2
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4
1
0
3.0±0.2
1.5±0.1
1.5±0.1
0.4±0.1
0.5±0.1
0.4±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6±0.1
±
2SB1241
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
1
6.8±0.2
2.5±0.2
1.05
0.45±0.1
2.54 2.54
0.5±0.1
0
4
1
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1181
0.1
0.1
+
5
0
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
0.65
±
0.1
0.9
0.75
1.0
±
0.2
0.55
±
0.1
9
±
0
1
±
0
2
1
2.3
0.5
±
0.1
6.5
±
0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
* Denotes h
FE
Abbreviated
symbol: BH
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*1 Single pulse, Pw=100ms
*2 When mounted on a 40
×
40
×
0.7 mm ceramic board.
*3
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
Parameter
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
-80
V
V
V
A(DC)
W
C
C
-80
-5
-1
I
CP
A(Pulse)
-2
*1
0.5
2
*2
1
*3
10
2SB1260
2SB1241, 2SB1181
2SB1181
150
-55~+150
Symbol
Limits
Unit
W(Tc=25C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1243 Power Transistor (-60V, -3A)
2SB1184 Power Transistor (-60V, -3A)
2SB1185 Power Transistor (-60V, -3A)
2SB1244 LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
2SB1245 LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1260FRAT100R 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SB1260T100 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape
2SB1260T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1260T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1260T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*