參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1260
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor
中文描述： 功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SB1260
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
Cob
Min.
-80
-80
-5
-
-
82
2SB1260, 2SB1181
2SB1241
2SB1260, 2SB1241
2SB1181
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
25
-
-
-
-1
-1
390
-0.4
-
-
V
I
C
=-50
μ
A
I
C
=-1mA
I
E
=-50
μ
A
V
CB
=-60V
V
EB
=-4V
V
CE
=-3V, I
C
=-0.1A
I
C
/I
B
=-500mA/-50mA
V
CE
=-10V, I
E
=50mA, f=30MHz
V
CB
=-10V, I
E
=0A, f=1MHz
V
V
μ
A
μ
A
-
120
-
390
-
V
MHz
f
T
-
100
-
V
CE
=-5V, I
E
=50mA, f=30MHz
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
!
Packaging specifications and h
FE
Package
Code
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
2500
2500
1000
PQR
h
FE
2SB1260
TL
-
-
-
QR
2SB1241
PQR
2SB1181
-
TV2
-
-
T100
Type
h
FE
values are classified as follows :
Item
P
Q
R
h
FE
82~180
120~270
180~390
!
Electrical characteristic curves
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
0
-0.1
-1
-100
-1000
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
C
C
(
-0.8
-1.2
-1.6
-10
-0.2 -0.4
-1.0
-1.4
-0.6
Ta=25
C
V
CE
=-
5V
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics
0
0
-0.2
-0.8
-1.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-0.4
-0.6
-2.0
-0.2
-0.6
-1.0
-1.4
-1.8
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Ta=25
C
-0.05mA
I
B
=0mA
-0.1mA
-0.15mA
-0.2mA
-0.25mA
-0.3mA
-0.35mA
-0.4mA
-0.45mA
Fig.3 DC current gain vs.
collector current
-1 -2
-5 -10 -20
-50-100-200-500
-2000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
10
D
F
-1000
20
50
100
200
500
1000
V
CE
=-3V
-1V
Ta=25
C
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