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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1309P |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126F |
| 封裝： | TO-126F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | 2SB1309P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1316F5TLA | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1320R | 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1322AQ | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1326TV2R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1326TV2/Q | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1316TL | 功能描述:達林頓晶體管 D-PACK BCE PNP DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |
| 2SB1320A0A | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1320AQRTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1321A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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