參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1386G-Q-AB3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 173K
代理商: 2SB1386G-Q-AB3-R
2SB1386
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R208-019,C
TYPICAL CHARACTERICS(Cont.)
Collector Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
Co
llector
Output
Capacitance,
Cob
(
pF)
100
50
20
10
Collector to Base Voltage, VCB(V)
200
500
12
5
10 20
50
5
Emitter Current, IE(mA)
Transetion Frequency vs. Emitter Current
Tr
ansetio
nFr
equency,
f
T
(MH
z)
20
50 100
500
100
1000
2
1
10
200
500
-0.1 -0.2 -0.5
-5
-1 -2
-20
-10
1000
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (2)
Collecto
r
Satur
atio
nVoltage,
V
C
E
(SAT)
(V)
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m -5m -0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=100℃
Ic/IB=10
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (3)
C
ollector
Sa
turation
Voltage
,V
CE(
S
A
T
)(
V)
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m -5m-0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta= -25℃
Ta=25℃
Ic/IB=30
Ta=100℃
Ta= -25℃
Ta=25℃
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (IV)
Collect
or
Satur
ation
Voltage,
V
C
E
(SAT)
(
V)
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m -5m -0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=100℃
Ic/IB=40
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (V)
Collector
Satur
ation
Voltage,
V
C
E
(SAT)
(V
)
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m -5m-0.01-0.02-0.05 -0.1 -0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta= -25℃
Ta=25℃
Ic/IB=50
Ta=100℃
Ta= -25℃
Ta=25℃
200
1000
VcE= -6V
Ta=25℃
f =1MHz
IE=0A
-50
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PDF描述
2SB1386L-Q-AB3-R 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1391-E 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1391 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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