參數(shù)資料
型號： 2SB1400
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220FM, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 169K
代理商： 2SB1400
2SB1400
4
–0.1
–0.3
–1.0
–3
–10
Collector current IC (A)
–0.1
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE
(sat)
(V)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE
(sat)
(V)
Saturation Voltage vs. Collector Current
VBE (sat)
VCE (sat)
lC/lB = 500
200
10
3
1.0
0.3
0.1
1m
10m
100m
1.0
10
100
1000
TC = 25
°C
Thermal
resistance
θ
j-c
(
°C/W)
Transient Thermal Resistance
Time t (s)
相關PDF資料
PDF描述
2SB1400 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1401 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1403 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1403 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1405 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1412TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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