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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1405 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | NMP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB1405 |
2SB1405
No.3236–2/3
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O
B
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R
B
(
IE
I
,
A
0
1
–
=
C 0
=0
1
–
V
Electrical Connection
Continued from preceding page.
B
C
E
ITR09665
IC -- VBE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
0
--200
--400
--600
--800
--1000
VCE=--2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
ITR09666
hFE -- IC
--10
23
35
2
3
5
--100
--1000
2
7
100000
10000
3
2
5
7
3
2
5
VCE=--2V
Ta=75
°C
25
°C
ITR09664
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--7
--5
--6
0
--200
--100
--400
--300
--500
--600
--800
--700
IB=0
--10
--100
23
5
2
3
5
35
2
--1000
7
--1.0
--10
5
7
5
3
2
ITR09668
VCE(sat) -- IC
IC / IB=1000
Ta=--25°C
25
°C
75°C
ITR09669
f=1MHz
--1.0
--10
23
5
2
3
5
7
10
7
100
5
7
5
3
2
ITR09667
Cob -- VCB
--10
A
--5
A
--25A
--20A
--15A
--30
A
--35
A
--25
°C
--10
--100
23
5
2
3
5
35
2
--1000
7
--1.0
--10
5
7
5
3
2
VBE(sat) -- IC
IC / IB=1000
Ta=--25°C
25
°C
75°C
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Output
Capacitance,
Cob
–
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1405 | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1406 | 1500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1407(L)D | 2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1409(L)B | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1409(S)C | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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