參數(shù)資料
型號： 2SB1417A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
中文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT4, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 55K
代理商： 2SB1417A
2
Power Transistors
2SB1417, 2SB1417A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
I
C
— V
BE
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=2.0W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
T
C
=25C
–10mA
–20mA
–30mA
–40mA
–50mA
–60mA
–70mA
–80mA
–90mA
I
B
=–100mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=8
25C
100C
T
C
=–25C
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
V
CE
=–4V
T
C
=100C
–25C
25C
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE
=–4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
=–5V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
C
o
0
–4
–1
–3
–2
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
on
t
f
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=5
(I
B1
=–I
)
V
CC
=–200V
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
S
o
,
s
,
f
μ
s
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
t=1ms
I
CP
I
C
10ms
2
2
Non repetitive pulse
T
C
=25C
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
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PDF描述
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