參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1418
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
中文描述： 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： 2SB1418
1
Power Transistors
2SB1418, 2SB1418A
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification
Complementary to 2SD2138 and 2SD2138A
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
G
High-speed switching
G
Allowing automatic insertion with radial taping
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–60
–80
–60
–80
–5
–4
–2
15
2.0
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
2SB1418
2SB1418A
2SB1418
2SB1418A
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
*
h
FE2
Rank classification
Rank
Q
P
h
FE2
2000 to 5000
4000 to 10000
Unit: mm
Internal Connection
1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
Parameter
Collector cutoff
current
Collector cutoff
current
Emitter cutoff current
Collector to emitter
voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Turn-off time
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
V
CEO
h
FE1
h
FE2*
V
BE
V
CE(sat)
f
T
t
on
t
off
Conditions
V
CB
= –60V, I
B
= 0
V
CB
= –80V, I
B
= 0
V
CE
= –30V, I
B
= 0
V
CE
= –40V, I
B
= 0
V
EB
= –5V, I
C
= 0
I
C
= –30mA, I
B
= 0
V
CE
= –4V, I
C
= –1A
V
CE
= –4V, I
C
= –2A
V
CE
= –4V, I
C
= –2A
I
C
= –2A, I
B
= –8mA
V
CE
= –10V, I
C
= – 0.5A, f = 1MHz
I
C
= –2A, I
B1
= –8mA, I
B2
= 8mA,
V
CC
= –50V
min
–60
–80
1000
2000
typ
20
0.2
2
max
–100
–100
–100
–100
–100
10000
–2.8
–2.5
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
μ
s
μ
s
2SB1418
2SB1418A
2SB1418
2SB1418A
2SB1418
2SB1418A
B
C
E
1.0
10.0
±
0.2
0.55
±
0.1
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
4
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
S
5.0
±
0.1
2.25
±
0.2
1.2
±
0.1
0.65
±
0.1
1.05
±
0.1
0.55
±
0.1
C1.0
90
°
C1.0
1
2
3
0.35
±
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1418A Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1429 TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION
2SB1434 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1435 Silicon PNP epitaxial planar type
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參數(shù)描述
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2SB1420 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3P
2SB1424T100P 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2SB1424T100P
2SB1424T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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