參數(shù)資料
型號： 2SB1438
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
中文描述： 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 39K
代理商： 2SB1438
1
Transistor
2SB1438
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Allowing supply with the radial taping.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT2 Type Package
2.5
±
0.1
4
±
0
1
±
0
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
(1.45)
4.0
0.7
0.8
0
0
0
1
1
0.65 max.
0.45
+0.1
0
+
–
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–100
–100
–5
–3
–2
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –50V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –2V, I
C
= –200mA
V
CE
= –2V, I
C
= –1A
*2
I
C
= –1A, I
B
= –50mA
*2
I
C
= –1A, I
B
= –50mA
*2
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–100
–100
–5
120
60
typ
– 0.17
– 0.85
90
70
max
– 0.1
340
– 0.3
–1.2
90
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE1
120 ~ 240
170 ~ 340
*2
Pulse measurement
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
–
Note: In addition to the
lead type shown in
the upper figure, the
type as shown in
the lower figure is
also available.
(HW type)
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SB14380RA 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 2A MT-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB14400RL 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1440GRL 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1440-R(TX) 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:
２ＳＢ１４４３ 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SIP
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