參數(shù)資料
型號： 2SB1418A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
中文描述： 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 61K
代理商： 2SB1418A
2
Power Transistors
2SB1418, 2SB1418A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
I
C
— V
BE
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=2.0W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
T
C
=25C
– 0.2mA
– 0.4mA
– 0.6mA
– 0.8mA
–1.0mA
–1.2mA
–1.6mA
–1.8mA
I
B
=–2.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
–30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=250
25C
T
C
=100C
–25C
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–4
–1
–3
–2
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
T
C
=100C
–25C
25C
V
CE
=–4V
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE
=–4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
C
o
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
t=1ms
I
CP
I
C
10ms
2
2
Non repetitive pulse
T
C
=25C
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
0.1
1
10
100
10000
1000
Note: R
was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1429 TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION
2SB1434 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1435 Silicon PNP epitaxial planar type
2SB1438 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1440 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
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參數(shù)描述
2SB1418APA 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 2A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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