參數(shù)資料
型號： 2SB1462J
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： For general amplification
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SB1462J
Transistors
2SB1462J
Silicon PNP epitaxial planar type
1
Publication date: January 2003
SJC00087BED
For general amplification
Complementary to 2SD2216J
■
Features
High forward current transfer ratio h
FE
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
60
50
7
100
200
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
mA
Peak collector current
I
CP
mA
Collector power dissipation
P
C
T
j
125
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
100
μ
A, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
2 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
60
50
7
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
h
FE
Forward current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
*1
180
390
V
CE(sat)
0.3
0.5
V
Transition frequency
f
T
C
ob
80
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
2.7
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
0.27
±
0.02
3
1
2
0.12
+0.03
0
±
0
(
0
1
±
0
0
0
0
+
–
(
5
5
1.60
+0.05
1.00
±
0.05
(0.50)(0.50)
+
–
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-89
SSMini3-F1 Package
Unit: mm
Marking Symbol: A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1462L For General Amplification
2SB1462 Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1463 Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
2SB1470 For Power Amplification
2SB1481 TRANSISTOR (SWITCHING APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1462J0L 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO .1A SS-MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1463GRL 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1463JRL 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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