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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1449Q |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SMP-FD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SB1449Q |
2SB1449 / 2SD2198
No.3149-4/5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.4
1.2
1.6
1.65
2.0
0.8
ITR09693
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
12
8
4
24
20
16
32
28
30
ITR09694
ITR09691
10ms 1ms
DC
operation
100ms
ICP= --9A
IC= --5A
--1.0
--10
57
23
5
7
23
--100
--0.1
--1.0
2
7
2
5
3
7
2
5
3
--10
0.1
1.0
2
7
2
5
3
7
2
5
3
10
1.0
10
57
23
5
7
23
100
ITR09692
10ms
1ms
DC
operation
100ms
ICP=9A
IC=5A
2SB1449
2SD2198
A S O
PC -- Ta
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
No
heat
sink
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
PC -- Tc
Case Temperature, Tc --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
A S O
1ms to 100ms: Single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
1ms to 100ms: Single pulse
--0.1
3
25
3
--1.0
25
32
5
3
--10
2
5
7
--10
2
3
5
7
2
--1.0
0.1
3
25
3
1.0
25
32
5
3
10
2
5
7
10
2
3
5
7
2
1.0
ITR09689
ITR09690
IC / IB=10
IC / IB=20
2SB1449
2SD2198
IC / IB=10
IC / IB=20
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1449 | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1449S | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2198-S | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1449-Q | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1488P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1449R-DL-E | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 50V 5A 70 to 280 SMP-FD Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 5A SOT404 |
| 2SB1453-K-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB1457(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SB1457(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SB1457(T6DW,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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