參數(shù)資料
型號： 2SB1472
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220MF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 44K
代理商： 2SB1472
2SB1472/2SD2224
No.3366–2/4
Switching Time Test Circuit
Electrical Connection
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
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C
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R
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V
n
w
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k
a
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B
e
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a
B
-
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r
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t
c
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ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
5
)
–
(
=
E 0
=0
7
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
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k
a
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B
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E
-
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-
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ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
0
5
)
–
(
=
E
B =∞
0
6
)
–
(V
e
m
i
T
N
O
-
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Tt n
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S
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5
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0
(s
6
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T
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St g
t
s
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p
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S
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5
.
1
(s
0
.
3s
e
m
i
T
ll
a
Ftf
.
t
i
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c
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s
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t
d
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c
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p
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e
S
)
4
.
1
(s
7
.
1s
Continued from preceding page.
200
6k
B
C
E
200
6k
B
C
E
2SB1472
2SD2224
PW=50
s
D.C.
≤1%
INPUT
VCC=20V
50
RB
100
F
470
F
VBE= --5V
VR
+
RL
6.7
OUTPUT
500IB1= --500IB2=IC=3A
(For PNP, the polarity is reversed.)
TUT
IB1
IB2
ITR09815
ITR09816
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--4
--2
--6
--8
--10
IB=0
--0.5mA
--1.0mA
--1.5mA
IC -- VCE
From top
--5.0mA
--4.5mA
--4.0mA
--3.5mA
--3.0mA
--2.5mA
--2.0mA
012
3
4
5
0
2
4
6
10
8
IB=0
ITR09818
IC -- VCE
IB=0
ITR09817
IC -- VCE
0
--1
--3
--2
--4
--5
IB=0
--400A
--350A
--300A
--250
A
--200
A
--150
A
2SD2224
--500A
--450A
1mA
2mA
3mA
01
2
3
4
5
0
2
6
4
8
2SB1472
From top
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
2SD2224
2SB1472
200
A
300
A
400
A
500
A
From top
1000
A
900
A
800
A
700
A
600
A
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
相關PDF資料
PDF描述
2SB1472 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2224 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1535TR/NP 6000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1870TL/DF 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1316TR 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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