參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1472
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220MF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SB1472
2SB1472/2SD2224
No.3366–3/4
VCE(sat) -- IC
ITR09824
ITR09821
ITR09822
ITR09823
VCE(sat) -- IC
--0.1
77
7
--1.0
25
3
--10
25
3
--10
2
3
5
--1.0
3
5
7
--0.1
77
7
--1.0
25
3
--10
25
3
--10
3
5
2
5
7
--1.0
0.1
77
7
1.0
25
3
10
25
3
10
2
5
1.0
3
5
7
3
7
ITR09819
ITR09820
hFE -- IC
23
57
77
23
5
--1.0
--10
--0.1
10000
3
2
5
1000
100
3
2
5
7
77
7
23
5
23
5
1.0
10
0.1
10000
2
3
2
5
1000
100
3
2
5
7
hFE -- IC
--0.4
0
--0.8
--1.2
--2.0
--2.4
--1.6
--2.8
--4
--3
--5
--2
--1
0
IC -- VBE
1.6
0.4
0
0.8
1.2
2.0
2.8
2.4
2
0
8
6
4
IC -- VBE
2SB1472
VCE= --2V
2SB1472
VCE= --2V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta= --40
°C
ITR09825
VBE(sat) -- IC
2SD2224
VCE=2V
2SD2224
VCE=2V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
2SB1472
IC / IB=500
2SB1472
IC / IB=500
2SD2224
IC / IB=500
Ta= --40°C
25
°C
120°C
0.1
1.0
25
3
10
25
7
77
3
10
3
5
2
5
7
1.0
ITR09826
VBE(sat) -- IC
Ta= --40
°C
25
°C
120°C
2SD2224
IC / IB=500
25
°C
120°C
Ta= --40
°C
25
°C
120°C
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1472 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2224 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1535TR/NP 6000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1870TL/DF 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1316TR 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1472-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS DARL PNP 60V 7A TO-220MF
2SB1474TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 80V 4A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB1481(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -100V -4A 2000 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400VCEO 500MA MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*