參數(shù)資料
型號: 2SB1490P
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TOP-3L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 215K
代理商: 2SB1490P
2SB1490
2
SJD00077BED
VBE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton , tstg , tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
50
150
100
200
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(PC=3.5W)
(1)
(2)
(3)
0
12
2
10
4
8
6
12
10
8
6
4
2
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
–1mA
IB=–5mA
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=100C
–25C
25C
0.1
1
10
100
10
1
100
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=–25C
25C
100C
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=–5V
TC=100C
25C
–25C
1
10
100
1
1 000
100
10
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0
16
4
12
8
0.01
0.1
1
10
100
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
tstg
ton
tf
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=1000
(–IB1=IB2)
VCC=–50V
TC=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
ICP
IC
t=10ms
t=1ms
Non repetitive pulse
TC=25C
DC
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1495 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1507S 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2280-R 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2280-S 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2280-Q 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1495(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1495,Q(M 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB15040RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR