參數(shù)資料
型號： 2SB1495
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 124K
代理商： 2SB1495
2SB1495
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SB1495
High-Power Switching Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1.5 A)
Complementary to 2SD2257
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
3
Collector current
Pulsed
ICP
5
A
Base current
IB
0.3
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 4 k
≈ 800
Collector
相關PDF資料
PDF描述
2SB1507S 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2280-R 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2280-S 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2280-Q 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1507R 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1495(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
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2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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