參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1492
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
中文描述： 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3L, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： 2SB1492
2
Power Transistors
2SB1492
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
80
60
20
50
70
40
10
30
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=3.5W)
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–12
–10
–8
–6
–4
–2
T
C
=25C
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
– 0.3mA
– 0.2mA
– 0.1mA
–– 0.9mA
I
B
=–5mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
–30
– 0.1
–100
–10
–1
– 0.3
–3
–30
I
C
/I
B
=1000
25C
–25C
T
C
=100C
C
C
– 0.1
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(A)
–3
–30
– 0.1
–100
–10
–1
– 0.3
–3
–30
I
C
/I
B
=1000
T
C
=–25C
25C
100C
B
B
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE
=–5V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
C
o
0
–16
–4
–12
–8
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
on
t
f
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=1000
(–I
B1
=I
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
Collector current I
C
(A)
S
o
,
s
,
f
μ
s
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
Non repetitive pulse
T
C
=25C
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1493 For power amplification Complementary to 2SD2255
2SB1495 TRANSISTOR (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
2SB1502 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SB1503 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1504 Silicon PNP epitaxial planar type darlington
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1495(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi, Bipolar, Transistor, PNP, Power, D
2SB1495,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB1495,Q(M 功能描述:TRANS PNP 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SB15040QA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB15040RA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 8A MT-3 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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