參數(shù)資料
型號： 2SB1504
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type darlington
中文描述： 8 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT-3-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： 2SB1504
Power Transistors
2SB1504
Silicon PNP epitaxial planar type darlington
1
Publication date: April 2003
SJD00080BED
For power switching
High forward current transfer ratio h
FE
High-speed switching
Allowing automatic insertion with radial taping
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Rank
P
Q
R
h
FE1
1
000 to 2
500
2
000 to 5
000 4
000 to 10
000
Internal Connection
B
C
E
Unit: mm
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-3-A1 Package
7.5
±
0.2
0.65
±
0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
2.5
±
0.2
2.5
±
0.2
0.85
±
0.1
1.0
±
0.1
0.7
±
0.1
1.15
±
0.2
0.5
±
0.1
1
0.8 C
2
3
0.4
±
0.1
4.5
±
0.2
0.8 C
0.8 C
3
±
0
1
±
1
1
±
0
2
±
0
9
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
50
7
8
12
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
1.5
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
30 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
EB
=
7 V, I
C
=
0
V
CE
=
3 V, I
C
=
4 A
V
CE
=
3 V, I
C
=
8 A
I
C
=
4 A, I
B
=
8 mA
I
C
=
4 A, I
B
=
8 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0.5
A, f
=
200 MHz
I
C
=
4 A, I
B1
=
8 mA, I
B2
=
8 mA
V
CC
=
50 V
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
I
EBO
h
FE1 *
100
2
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
mA
Forward current transfer ratio
1
000
10
000
h
FE2
V
CE(sat)
500
Collector-emitter saturation voltage
1.5
2.0
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
V
Transition frequency
f
T
t
on
20
MHz
Turn-on time
0.5
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
2.0
Fall time
t
f
1.0
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