參數(shù)資料
型號： 2SB1495
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： 2SB1495
2SB1495
2004-07-26
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
at
u
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltag
e
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
VBE (sat) – IC
Collector current IC (A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
10
30
0.05
0.3
5
0.03
0.1
0.3
0.5
1
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (pulsed)*
1 ms*
10 ms*
100 s*
100
3
300
1
VCEO max
0.5
0.3
5
Tc = 55°C
100
3
1
3
0.5
5
1
Common emitter
IC/IB = 1000
25
0
1
2
1
2
3
4
IB = 200 A
1000
500
800
400
250
300
Common emitter
Tc = 25°C
5
3
4
0
0.5
2.5
0.4
1.2
2.0
2.8
Common emitter
VCE = 2 V
Tc = 100°C 25 55
0.8
1.6
2.4
1.0
1.5
2.0
3.0
10000
0.03
Common emitter
VCE = 2 V
100
300
500
1000
3000
5000
0.1
0.3
1
3
Tc = 100°C
25
55
10
5
0.5
0.3
5
Tc = 55°C
3
1
3
0.5
5
1
Common emitter
IC/IB = 1000
100
25
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