型號: | 2SB1602 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
中文描述: | 晶體管(功率放大器應(yīng)用) |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 189K |
代理商: | 2SB1602 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SB1603 | Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
2SB1603A | Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
2SB1604 | Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
2SB1605A | Silicon PNP epitaxial planar type(For low-freauency power amplification) |
2SB1617 | TRANSISTOR (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SUPER SWITCHING, AMPLIFIER APLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SB1617(TP,Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
2SB1623AP | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 4A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB1625 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM100-110V -6A 60W BCE |
2SB1628-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,16V,3.0A,P-MINI MOLD3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 16V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
2SB1628-T1-AZ-ZZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |