參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1603
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
中文描述： 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220E
封裝： TO-220E, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SB1603
2
Power Transistors
2SB1603, 2SB1603A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
150
125
100
25
75
50
0
40
30
10
25
35
20
5
15
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=2.0W)
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–10
–8
–2
–6
–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
T
C
=25C
–50mA
–45mA
–40mA
–35mA
–30mA
–25mA
–20mA
–15mA
–10mA
–5mA
I
B
=–80mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=20
25C
–25C
T
C
=100C
C
C
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/I
B
=20
T
C
=–25C
25C
100C
B
B
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–300
–1000
V
CE
=–2V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
Collector current I
C
(A)
– 0.3
–3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=–2V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
0
–8
–2
–6
–4
–7
–1
Collector current I
C
(A)
–5
–3
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
t
stg
t
f
t
on
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=10
(–I
B1
=I
)
V
CC
=–20V
T
C
=25C
S
o
,
s
,
f
μ
s
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
1s
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
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