參數(shù)資料
型號： 2SB1651R
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MT1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： 2SB1651R
1
Transistor
2SB1651
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
s Features
q
Low noise voltage NV.
q
High foward current transfer ratio hFE.
q
M type package allowing easy automatic and manual insertion as
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT1 Type Package
6.9
±0.1
1.05
±0.05
2.5
±0.1
3.5
±0.1
14.5
±0.5
(1.45)
0.8
0.7
4.0
0.15
0.85
0.8
1.0
0.65 max.
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
2.5
±0.5 2.5±0.5
2.5
±0.1
123
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–55
–5
–200
–50
400
150
–55 ~ +150
Unit
V
mA
mW
C
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter voltage
Noise voltage
Transition frequency
Symbol
ICBO
ICEO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE
*1
VCE(sat)
VBE
NV
fT
Conditions
VCB = –10V, IE = 0
VCE = –10V, IB = 0
IC = –10A, IE = 0
IC = –2mA, IB = 0
IE = –10A, IC = 0
VCE = –5V, IC = –2mA
IC = –100mA, IB = –10mA
VCE = –1V, IC = –100mA
VCE = –10V, IC = –1mA, GV = 80dB,
Rg = 100k, Function = FLAT
VCB = –5V, IE = 2mA, f = 200MHz
min
–55
–5
180
typ
110
150
max
–100
–1
700
– 0.6
–1
Unit
nA
A
V
mV
MHz
*1h
FE Rank classification
Rank
R
S
T
hFE
180 ~ 360
260 ~ 520
360 ~ 700
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
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