參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1653Q
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： 2SB1653Q
1
Power Transistors
2SB1653
Silicon PNP triple diffusion planar type
For power switching
s Features
q
High collector to emitter VCEO
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
q
Allowing automatic insertion with radial taping
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–400
–7
–1
– 0.5
1.5
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
ICEO
IEBO
VCEO
hFE1
*
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
ton
tstg
tf
Conditions
VCB = –400V, IE = 0
VCE = –100V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –1mA, IB = 0
VCE = –5V, IC = –50mA
VCE = –5V, IC = –300mA
IC = –100mA, IB = –10mA
VCE = –100mA, IB = –10mA
VCB = –10V, IE = 0.2A, f = 1MHz
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz
IC = –100mA,
IB1 = –10mA, IB2 = 10mA,
VCC = –150V, RL = 1.5k
min
–400
80
10
typ
– 0.25
– 0.8
20
25
1.0
0.8
1.0
max
–1
280
– 0.5
–1.2
50
Unit
A
mA
V
MHz
pF
s
*h
FE1 Rank classification
Rank
P
Q
hFE1
80 to 160
130 to 280
Unit: mm
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT3 Type Package
7.5
±0.2
4.5
±0.2
90
°
0.8C
0.4
±0.1
0.8C
123
0.5
±0.1
0.7
±0.1
1.0
±0.1
0.85
±0.1
0.65
±0.1
0.7
±0.1
2.5
±0.1
10.8
±0.2
16.0
±1.0
3.8
±0.2
2.5
±0.2
2.5
±0.2
2.05
±0.2
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1655 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1370 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1657-AZ 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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