參數(shù)資料
型號： 2SB1661S
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
封裝： SC-64, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 25K
代理商： 2SB1661S
2SB1661L, 2SB1661S
Silicon PNP Triple Diffused
Low Frequency Amplifier
1st. Edition
December 1997
Target Specification
Features
High voltage : V
(BR)CEO = –300V min.
Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1667(SM)-Y 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1667(SM)-O 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SB1679S 500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1679G0L 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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