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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1664 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 8 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ZP, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SB1664 |
2SB1664
No.8528-1/4
Applications
Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control.
Features
High DC current gain.
Large current capacity and wide ASO.
Low saturation voltage.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
--110
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
--100
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
--6
V
Collector Current
IC
--8
A
Collector Current (Pulse)
ICP
--12
A
Collector Dissipation
PC
Tc=25
°C35
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--80V, IE=0A
--0.1
mA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--5V, IC=0A
--3.0
mA
DC Current Gain
hFE
VCE=--3V, IC=--4A
1500
4000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--5V, IC=--4A
20
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--4A, IB=--8mA
--1.0
--1.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--4A, IB=--8mA
--2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--5mA, IE=0A
--110
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--50mA, RBE=∞
--100
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.7
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
1.4
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
1.5
s
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : EN8528
73106IA MS IM TA-1083
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such
applications.
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ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor
products described or contained herein.
2SB1664
PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor
Driver Applications
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SB1686 | 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1691WL- | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB1679G0L | 功能描述:TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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