參數(shù)資料
型號: 2SB1691WL-
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-59A, MPAK-3
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商: 2SB1691WL-
Package Dimensions
unit : mm
3067-DIP24S
[LA1136N]
SANYO : DIP24S
unit : mm
3021B-DIP20S
[LA1137N]
SANYO : DIP20Slim
unit : mm
3112-MFP24S
[LA1136NM]
SANYO : MFP24S
unit : mm
3036B-MFP20
[LA1137NM]
SANYO : MFP20
Allowable
power
dissipation,
Pd
max
m
W
Ambient temperature, Ta – °C
Allowable
power
dissipation,
Pd
max
m
W
Mounted on 20 × 40 × 1.5 mm PCB
Independent IC
Ambient temperature, Ta – °C
Pd max–Ta
Pdmax–Ta
LA1136N, 1136NM, 1137N, 1137NM
No. 3507-2/28
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1691WL- 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1713T100 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1722G 20 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1730TL 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB514 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2