參數(shù)資料
型號： 2SB1730TL
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TUMT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 70K
代理商： 2SB1730TL
2SB1730
Transistors
Rev.B
1/2
General purpose amplification(
12V, 2A)
2SB1730
Applications
Dimensions (Unit : mm)
Low frequency amplifier
Deiver
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
VCE(sat)
≤ 180mV
at IC=
1A / IB= 50mA
Packaging specifications
TL
3000
Type
Package
Code
Taping
Basic ordering
unit (pieces)
2SB1730
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
15
V
A
mW
°C
12
6
2
A
4
400
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
Single pulse Pw=1ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
ICP
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
Cob
Min.
15
12
6
270
120
15
100
680
180
V
IC
=10A
IC
=1mA
IE
=10A
VCB
=15V
VEB
=6V
VCE
=2V, IC=200mA
IC
=1A, IB=50mA
VCB
=10V, IE=0mA, f=1MHz
V
nA
mV
nA
fT
360
VCE
=2V, IE=200mA, f=100MHz
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown viltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collerctor-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
Pulsed
ROHM : TUMT3
Abbreviated symbol : FV
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
0.2Max.
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PDF描述
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2SB1732TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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