參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1691WL-
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-59A, MPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SB1691WL-
LA1136N, LA1136NM
Operating Conditions at Ta = 25°C, V
CC = 8 V, fr = 1 MHz, fm = 400 Hz, See specified Test Circuit
Parameter
Symbol
Conditions
Pin
min
typ
max
Unit
12
14
17
22
Current drain
ICC1
Quiescent
L
O
22
38
52
mA
ICC2
130 dB
L
O
30
45
60
Detection output
VO
74 dB, 30% modulation
L
O
–15.0
–12.0
–9.0
dBm
Signal-to-noise ratio
S/N
74 dB, 30% modulation
L
O
49
54
dB
AGC figure-of-merit
AGC
74 dB, 30% modulation,
reference output 10 dB below
input
LLL
O
50
54
dB
Total harmonic distortion
THD1
74 dB, 80% modulation
L
O
0.4
1.0
%
THD2
130 dB, 80% modulation
L
O
0.5
2.0
Signal meter output voltage
VSM1
Quiescent
L
O
0
0.3
V
VSM2
130 dB
L
O
3.5
5.0
7.5
Stop detector sensitivity
SD
V18 = 3.5 V
L
H
L
O
26
32
38
dB
Local-oscillator buffer output
voltage
VOSC
BUFF
Quiescent
L
O
270
330
mVrms
IF buffer output voltage
VIF BUFF 74 dB, zero modulation
L
O
530
750
1,000 mVrms
IF count buffer output voltage
VIFCB
30 dB, zero modulation
L
H
O
260
300
mVrms
IF count buffer output leakage
voltage
VIFCBL
74 dB, zero modulation
L
O
10 mVrms
Antenna input level for RF AGC
ON and tweet prevention
ANT1
LLLL
56
62
68
dB
Antenna input for wideband AGC
ON
ANT2
Quiescent, 1.0 MHz receive
signal, 1.4 MHz interference,
zero modulation
L
O
92
98
104
dB
Wideband/narrowband detector
output ratio (weak input)
–
21 dB, 30% modulation
L/H
L
O
2
4
dB
Pin-diode driver current
IANTD
V1 = 0.7 V
L
O
4.0
5.5
mA
Note)
SW voltage:H=5 V, L = GND, O = OPEN
LA1137N, LA1137NM
Operating Characteristics at Ta = 25°C, V
CC = 8 V, fr = 1 MHz, fm = 400 Hz, See specified Test Circuit
Parameter
Symbol
Conditions
SW
min
typ
max
Unit
11
13
18
Current drain
ICC1
Quiescent
L
O
22
38
52
mA
ICC2
130 dB, zero modulation
L
O
30
45
60
Detection output
VO
74 dB, 30% modulation
L
O
–15.0
–12.0
–9.0
dBm
Signal-to-noise ratio
S/N
74 dB, 30% modulation
L
O
50
55
dB
AGC figure-of-merit
AGC
74 dB, 30% modulation,
reference output 10 dB below
input
LL
O
48
52
56
dB
Total harmonic distortion
THD1
74 dB, 80% modulation
L
O
0.3
1.0
%
THD2
130 dB, 80% modulation
L
O
0.4
2.0
Signal meter output
voltage
VSM1
Quiescent
L
O
0
0.3
V
VSM2
130 dB, zero modulation
L
O
3.5
5
7.5
Stop detector sensitivity
SD
V18 = 3.5 V, zero modulation
H
L
O
27
33
39
dB
Local-oscillator buffer
output voltage
VOSC BUFF Quiescent
L
O
290
350
mVrms
IF count buffer output
voltage
VIFCB
30 dB, zero modulation
H
O
260
300
mVrms
IF count buffer output
leakage voltage
VIFCBL
74 dB, zero modulation
L
O
10
mVrms
Antenna input for RF
AGC ON and tweet
prevention
ANT1
L
56
62
68
dB
Antenna input for wide
band AGC ON
ANT2
Quiescent, 1.0 MHz receive
signal, 1.4 MHz interference
signal, zero modulation
L
O
92
98
104
dB
Pin-diode driver current
IANTD
V1 = 0.7 V
L
O
4.0
5.5
mA
Note)
SW voltage:H=5 V, L = 0 V,O= open
Short the ammeter used to measure the pin-diode driver current when not in use.
LA1136N, 1136NM, 1137N, 1137NM
No. 3507-4/28
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1713T100 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1722G 20 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1730TL 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB514 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD330D 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1691WL-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1694T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*