參數(shù)資料
型號： 2SB1722G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 223K
代理商： 2SB1722G
2SB1722G
2
SJC00389AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
power
dissipation
P
C
(mW)
0
150
75
25
125
50
100
0
150
50
125
100
25
75
0
12
10
8
2
6
4
0
35
30
25
20
15
10
5
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA)
2.0 mA
IB
= 5.0 mA
Ta
= 25°C
4.5 mA
4.0 mA
2.5 mA
3.0 mA
3.5 mA
1.5 mA
1.0 mA
0.5 mA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(m
A
)
VCE
= 10 V
Ta
= 85°C
25°C
25
°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (mA)
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
25
°C
Ta
= 85°C
25°C
IC/IB
= 10
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
1
10
100
0
500
300
250
350
400
450
200
150
100
50
VCE
= 10 V
Ta
= 85°C
25°C
25
°C
0
20
30
10
40
0.1
10
1
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1730TL 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB514 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD330D 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD330C 2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB514F 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
2SB1722J0L 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1730TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1731TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1732TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1733TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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