參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1730TL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TUMT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2SB1730TL
2SB1730
Transistors
Rev.B
2/2
Electrical characteristic curves
Fig.1 DC current gain
vs. collector current
COLLECTOR CURRENT : IC (
A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
0.001
0.01
0.1
100
1000
110
PULSED
VCE
=2V
Ta
=100°C
40°C
25
°C
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
vs.collector current
COLLECTOR CURRENT : IC (
A)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE(sat)
:
(V)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
Ta
=100°C
25
°C
40°C
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
10
PULSED
IC/IB
=20
Ta
=100°C
40°C
25
°C
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (
A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat):
(V)
IC/IB
=50/1
PULSED
Ta
=25°C
IC/IB
=20/1
IC/IB
=10/1
Fig.4 Grounded emitter propagation
characteristics
0
0.5
0.001
0.1
1
0.01
10
1
PULSED
VCE
=2V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V
)
COLLECTOR
CURRENT
I
C
:(A)
Ta
=100°C
25
°C
40°C
Fig.5 Gain bandwidth product
vs. emitter current
0.001
0.01
0.1
10
100
1000
110
Ta
=25°C
VCE
=2V
f
=100MHz
EMITTER CURRENT : IE (
A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
:(MHz)
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Switching time
1
SWITCHING
TIME
:
(ns)
10
100
1000
IC=20 IB1=-20IB2
Ta
=25°C
f
=100MHz
tstg
tdon
tr
tf
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
0.1
1
10
100
1000
10
Ta
=25°C
IE
=0mA
f
=1MHz
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V
)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE:Cib
(pF
)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE:Cob
(pF
)
cib
cob
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2SB176 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB187 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -25V -.15A .2W
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