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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB736BW1 |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | 2SB736BW1 |
Data Sheet D18429EJ2V0DS
6
2SK3325B
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
I
AS
-Sin
gle
Aval
an
che
Current
-
A
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
VDD = 150 V
VGS = 20
→ 0 V
RG = 25
Ω
Starting Tch = 25
°C
IAS = 10 A
EAS = 10.7 mJ
L - Inductive Load - H
Ene
rgy
Derating
F
ac
to
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
VDD = 150 V
RG = 25
Ω
VGS = 20
→ 0 V
IAS
≤ 10 A
Starting Tch - Starting Channel Temperature -
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB736A-B55 | 300 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB736A-B53 | 300 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB736A | 300 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB736R4BW-A | 300 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SB736BW2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) |
| 2SB736BW2-T1B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) |
| 2SB736BW3 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) |
| 2SB736BW3-T1B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(MINI MOLD) |
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