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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC1383 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification) |
| 中文描述： | 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | 2SC1383 |
1
Transistor
2SC1383, 2SC1384
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency power amplification and driver amplification
Complementary to 2SA683 and 2SA684
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
EIAJ:SC–51
TO–92L Package
5.9
±
0.2
2.54
±
0.15
0.7
±
0.1
4.9
±
0.2
8
±
0
0
+
–
1
±
0
3
0.45
+0.2
–0.1
1.27
1.27
0.45
+0.2
–0.1
1
3
2
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
30
60
25
50
5
1.5
1
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
2SC1383
2SC1384
2SC1383
2SC1384
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base
voltage
Collector to emitter
voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 20V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
*2
V
CE
= 5V, I
B
= 1A
*2
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
*2
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
*2
V
CB
= 10V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
30
60
25
50
5
85
50
typ
160
100
0.2
0.85
200
11
max
0.1
340
0.4
1.2
20
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
2SC1383
2SC1384
2SC1383
2SC1384
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
S
h
FE1
85 ~ 170
120 ~ 240
170 ~ 340
*2
Pulse measurement
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1384 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification) |
| 2SC1393 | Transistors TV VHF TUNER RF AMPLIFIER(FORWARD AGC) |
| 2SC1394 | TV VHF TUNER MIXER |
| 2SC1398 | Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
| 2SC1398A | Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC1383/2SC1384 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SC1383. 2SC1384 - NPN Transistor |
| 2SC13830R | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 1A TO-92L RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC13830S | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 1A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC1383L | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistor |
| 2SC1383L_11 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistor |
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