參數(shù)資料
型號： 2SC1383
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)
中文描述： 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SC1383
3
Transistor
2SC1383, 2SC1384
I
CEO
— Ta
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
1
10
10
2
10
3
10
4
V
CE
=10V
Ambient temperature Ta (C)
I
C
I
C
0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Single pulse
Ta=25C
t=10ms
2
2
t=1s
I
CP
I
C
C
C
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PDF描述
2SC1384 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplification)
2SC1393 Transistors TV VHF TUNER RF AMPLIFIER(FORWARD AGC)
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2SC1398 Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC1398A Silicon NPN Epitaxial Planar Type
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC1383/2SC1384 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SC1383. 2SC1384 - NPN Transistor
2SC13830R 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 1A TO-92L RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC13830S 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 1A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC1383L 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistor
2SC1383L_11 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistor
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