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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3314 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) |
| 中文描述： | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | NS-B1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SC3314 |
2
Transistor
2SC3314
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
Z
rb
— I
E
C
re
— V
CE
PG — I
E
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
240
200
160
120
80
40
Ta=25C
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
I
B
=100
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
60
50
40
30
20
10
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
240
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
800
600
200
500
700
400
100
300
Ta=25C
V
CE
=10V
6V
T
T
0
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–1
–3
–10
60
50
40
30
20
10
V
=10V
f=2MHz
Ta=25C
R
r
)
0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
f=10.7MHz
Ta=25C
I
C
=3mA
1mA
C
r
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
24
20
16
12
8
4
V
=10V
f=100MHz
Ta=25C
P
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