參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4499
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SC4499
2SC4499(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
1
Tj
500
V
Collector to emitter voltage
400
V
Emitter to base voltage
10
V
Collector current
0.5
A
Collector peak current
1.0
A
Collector power dissipation
0.75
W
10
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(sus)
400
—
—
V
I
= 0.1 A, R
BE
=
∞
L = 100 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
10
—
—
V
I
E
= 10 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
20
μ
A
V
CB
= 400 V, I
E
= 0
V
CE
= 350 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.25 A*
1
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.5 A*
1
I
C
= 0.25 A, I
B
= 0.05 A*
1
—
—
50
DC current transfer ratio
12
—
—
5
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.0
V
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
V
I
C
= 0.25 A, I
B
= 0.05 A*
1
Turn on time
t
on
t
stg
t
f
—
—
1.0
μ
s
μ
s
μ
s
I
C
= 0.5 A, I
B1
= –I
B2
= 0.1 A,
V
CC
150 V
Storage time
—
—
2.0
Fall time
Note:
—
—
1.0
1. Pulse test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4499L Silicon NPN Triple Diffused
2SC4499S Silicon NPN Triple Diffused
2SC4499 Power Bipolar Transistors
2SC4504 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Definition CRT Display Video Output Driver Applications(高分辨率CRT顯示視頻輸出驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
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參數(shù)描述
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