參數(shù)資料
型號： 2SC4584
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ITO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 345K
代理商： 2SC4584
Copyright & Copy;2002 Shindengen Electric Mfg.Co.,Ltd.
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : ITO-3P
HFX Series
Switching Power Transistor
6A NPN
2SC4584
(TP6W80HFX)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
1200
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
800
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
6A
Collector Current Peak
ICP
12
Base Current DC
IB
3
A
Base Current Peak
IBP
6
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
65
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case, AC 1 minute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.5Nm)
0.8
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = 0.2A
Min 800
V
Collector Cutoff Current
ICBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
ICEO
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 3A
Min 8
hFEL
VCE = 5V, IC = 1mA
Min 7
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 3A
Max 1.0
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 0.6A
Max 1.5
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 1.92 /W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 0.6A
TYP 8
MHz
Turn on Time
ton
IC = 3A
Max 0.5
Storage Time
ts
IB1 = 0.6A, IB2 = 1.2A
Max 3.5
s
Fall Time
tf
RL = 85, VBB2 = 4V
Max 0.3
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PDF描述
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