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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4617EB-S |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | EMT3F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | 2SC4617EB-S |
1/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.03 - Rev.B
General purpose small signal amplifier
(50V, 0.15A)
2SC4617EB
Features
Dimensions (Unit : mm)
1) Excellent hFE linearity.
2) Complements the 2SA1774EB.
Structure
NPN silicon epitaxial
planar transistor
Absolute maximum (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PD
Tj
Tstg
60
V
mA
mW
°C
50
7
150
IC
ICP
200
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
1
1 Pw=1ms Single pulse
2 Each terminal mounted on a recommended land
2
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Output capacitance
Parameter
Symbol
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
50
60
7
82
180
2
100
400
560
3.5
VIC=1mA
IC=50
A
IE=50
A
VCB=60V
VEB=7V
IC/IB=50mA/5mA
VCE=6V, IC=1mA
VCE=12V, IE=
2mA, f=100MHz
VCE=12V, IE=0A, f=1MHz
V
nA
mV
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Transition frequency
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
Each lead has same dimensions
1.6
0.26
0.5 0.5
1.0
1.6
0.86
0.37
(1)
(2)
(3)
0.45
0.7
0.13
0.45
EMT3F
Abbreviated symbol : B
= Denotes hFE
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| 2SC4617EBTLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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